对比图
型号 FDD5612 STD20NF06T4 NTD18N06T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5612 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.4 VSTMICROELECTRONICS STD20NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 V60V,18A,N沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 18.0 A 24.0 A 18.0 A
额定功率 - 60 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.036 Ω 0.032 Ω 51 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 42 W 60 W 55 W
阈值电压 2.4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 24.0 A 18.0 A
上升时间 4 ns 30 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 660pF @30V(Vds) 690pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W 60 W 55 W
下降时间 4 ns 8 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42 W 60W (Tc) 2.1 W
通道数 1 - 1
输入电容 660 pF - -
栅电荷 7.50 nC - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99