NVMFS5C404NT1G和NVMFS5C404NT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT3G NVMFS5C404NAFT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NVMFS5C404NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 378 A, 40 V, 0.00057 ohm, 10 V, 4 VPower MOSFET 40V, 378A, 0.7mOhm, Single N-Channel, SO8-FL. Power MOSFET 40V, 378A, 0.7mOhm, Single N-Channel, SO8-F...NVMFS5C404N: 单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,378A,0.7mΩ

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 5 5 5

封装 SO-FL-8 DFN-5 SO-FL

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

耗散功率 200 W 3.9W (Ta), 200W (Tc) 200 W

上升时间 113 ns 113 ns 113 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

下降时间 109 ns 109 ns 109 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) 3900 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

针脚数 5 - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 53A - -

封装 SO-FL-8 DFN-5 SO-FL

长度 5.1 mm - -

宽度 6.1 mm - -

高度 1.95 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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