BC238B和MMBT3906LT1G

对比图

型号 BC238B MMBT3906LT1G 2N5089

描述 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFENTE ELECTRONICS 2N5089 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45V, 160MHz, 625mW, 200mA, 400 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 TO-92

频率 - 250 MHz -

额定电压(DC) - -40.0 V -

额定电流 - -200 mA -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 3

极性 - PNP NPN

耗散功率 - 225 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 300 400

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

封装 - SOT-23-3 TO-92

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -