DMN3007LSS和IRF7805ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN3007LSS IRF7805ZPBF

描述 DIODES INC.  DMN3007LSS  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 16 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.3 VINFINEON  IRF7805ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC-8

额定功率 - 2.5 W

通道数 - 1

针脚数 - 8

漏源极电阻 0.005 Ω 0.0055 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1.3 V 2.25 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 16A 16A

上升时间 - 10 ns

输入电容(Ciss) - 2080pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 3.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta)

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -

军工级 Yes -

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