对比图
描述 TO-220F-3FS N-CH 800V 4.3A 2.5Ω800V,6.5A,2.5Ohm,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220F-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 2W (Ta), 36W (Tc) 2 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 4.3A 6.5A
上升时间 - 44 ns
输入电容(Ciss) 710pF @30V(Vds) 710pF @30V(Vds)
下降时间 - 44 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta), 36W (Tc) 2W (Ta), 36W (Tc)
漏源极电阻 2.5 Ω -
阈值电压 4 V -
封装 TO-220-3 TO-220F-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free