对比图
型号 IR2101STRPBF UCC27323DR IR2101SPBF
描述 INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET DriversINTERNATIONAL RECTIFIER IR2101SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) International Rectifier (国际整流器)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 100ns, 50ns 20ns, 15ns -
输出接口数 2 2 2
输出电压 10V ~ 20V 300 mV ≥10.0 V
输出电流 210 mA 4 A -
耗散功率 0.625 W 1140 mW 625 mW
上升时间 170 ns 40 ns 170ns (Max)
下降时间 90 ns 40 ns 90ns (Max)
下降时间(Max) 90 ns 40 ns 90 ns
上升时间(Max) 170 ns 40 ns 170 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 1140 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 4.5V ~ 15V 10V ~ 20V
电源电压(DC) 10.0V (min) - 10.0V (min)
工作电压 10V ~ 20V - 10V ~ 20V
针脚数 8 - 8
产品系列 - - IR2101
电源电压(Max) 20 V - 20 V
电源电压(Min) 10 V - 10 V
通道数 2 - -
静态电流 270 µA - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -