对比图
型号 IRF6646TR1PBF IRF6646TRPBF
描述 INFINEON IRF6646TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 80 V, 0.0076 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRF6646TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 80 V, 0.0076 ohm, 10 V, 4.9 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 7
封装 Direct-FET Direct-FET
额定功率 89 W 89 W
针脚数 5 7
漏源极电阻 0.0076 Ω 0.0076 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 2.8 mW 89 W
阈值电压 3 V 4.9 V
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A
输入电容(Ciss) 2060pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
输入电容 - 2060 pF
上升时间 - 20 ns
下降时间 - 12 ns
长度 5.45 mm 6.35 mm
宽度 5.05 mm -
高度 0.6 mm -
封装 Direct-FET Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17