CY7C1470BV33-200BZI和CY7C1470V33-200BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1470BV33-200BZI CY7C1470V33-200BZI

描述 72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 36 36

存取时间 - 3 ns

存取时间(Max) 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3.135 V

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

长度 17 mm -

宽度 15 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a

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