IR2153和IR2153PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2153 IR2153PBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOICINFINEON  IR2153PBF  芯片, MOSFET/IGBT驱动器 半桥

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 8 8

封装 PDIP-8 PDIP-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min)

工作电压 - 10V ~ 16.8V

额定功率 - 625 mW

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 45ns

输出接口数 2 2

输出电压 ≥10.0 V 625.3 V

供电电流 - 25 mA

通道数 - 2

针脚数 - 8

耗散功率 1000 mW 1 W

静态电流 - 950 µA

上升时间 - 150 ns

下降时间 - 100 ns

下降时间(Max) 100 ns 100 ns

上升时间(Max) 150 ns 150 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

电源电压 10V ~ 15.6V 10V ~ 15.6V

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

长度 - 10.92 mm

宽度 - 7.11 mm

高度 - 5.33 mm

封装 PDIP-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not For New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2017/01/12

ECCN代码 - EAR99

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