2N6758和JAN2N6758

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6758 JAN2N6758 IRF222

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) TO-204AATO-3 N-CH 200V 9A4.0A和5.0A , 150V和200V , 0.8和1.2 Ohm的N通道功率MOSFET 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-204 -

通道数 - 1 -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 4W (Ta), 75W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 9A -

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 75W (Tc) -

上升时间 80 ns - -

下降时间 40 ns - -

封装 - TO-204 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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