SQM110P04-04L-GE3和SQM40N15-38_GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQM110P04-04L-GE3 SQM40N15-38_GE3 SQM120P04-04L_GE3

描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO263MOSFET N-CH 150V 40A TO263MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 - N-Channel -

耗散功率 375W (Tc) 166W (Tc) 375 W

漏源极电压(Vds) 40 V 150 V -

输入电容(Ciss) 13980pF @20V(Vds) 3390pF @25V(Vds) 13980pF @20V(Vds)

耗散功率(Max) 375W (Tc) 166W (Tc) 375W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0034 Ω

阈值电压 - - 2.5 V

漏源击穿电压 - - 40 V

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 45 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

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