IS42SM16800G-75BLI和IS42SM16800H-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16800G-75BLI IS42SM16800H-75BLI IS42VM16800G-75BLI

描述 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 8Mx16, 133Mhz, RoHS128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

供电电流 55 mA 55 mA 55 mA

位数 16 16 -

存取时间 - 6 ns 7.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 6ns 7.5 ns 8ns, 6ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

高度 0.8 mm - 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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