IS43LR32800F-6BL-TR和IS43LR32800G-6BL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32800F-6BL-TR IS43LR32800G-6BL-TR

描述 动态随机存取存储器 256M,1.8V,MobileDDR 166Mhz,90 ball BGADRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90Pin TFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

位数 32 32

存取时间 6 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) 1.95 V 1.95 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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