对比图
型号 2N7334 JANTX2N7334
描述 Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB,Trans MOSFET N-CH 100V 1A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole
封装 - DIP-14
引脚数 - -
耗散功率 - 1400 mW
漏源极电压(Vds) - 100 V
额定功率(Max) - 1.4 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1400 mW
输入电容(Ciss) - -
封装 - DIP-14
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Bulk
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
军工级 - Yes