对比图
型号 BCW66G BCW66GLT3G BCW66GLT1G
描述 ON Semiconductor BCW66G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 800 mA
针脚数 3 - 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 350 mW 0.3 W 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 160 - 60
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm 3.04 mm -
宽度 1.3 mm 2.64 mm -
高度 0.93 mm 1.11 mm -
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99