GBJ25M和KBJ2510G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBJ25M KBJ2510G GBJL2510-BP

描述 SINTERED GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERGENESIC SEMICONDUCTOR KBJ2510G Bridge Rectifier Diode, Single, 1kV, 25A, SIP, 1.05V, 4PinsGBJL2510-BP 停产

数据手册 ---

制造商 Zowie Technology (智威) GeneSiC Semiconductor Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - SIP-4 SIP-4

正向电压 - 1.05V @12.5A 1.05V @12.5A

正向电流 - 25 A 25 A

正向电压(Max) - 1.05 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

最大反向电压(Vrrm) - - 1000V

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 350 A

工作温度(Min) - - 55 ℃

高度 - 15.3 mm 14.6 mm

封装 - SIP-4 SIP-4

长度 - - 27.7 mm

宽度 - - 4 mm

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bulk Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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