IRL8113PBF和IRLB8743PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL8113PBF IRLB8743PBF IRL8113

描述 INFINEON  IRL8113PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 105 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 2.25 VINFINEON  IRLB8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 VTO-220AB N-CH 30V 105A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 110 W 140 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.006 Ω 0.0025 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 140 W 110W (Tc)

阈值电压 2.25 V 1.8 V -

输入电容 - 5110pF @15V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 105A 150A 105 A

上升时间 38 ns 92 ns 38.0 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @15V(Vds) 5110pF @15V(Vds) 2840pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 140 W -

下降时间 5 ns 36 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110000 mW 140000 mW 110W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 105 A

产品系列 - - IRL8113

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 8.77 mm 9.02 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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