JAN1N6322US和JANS1N6322US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6322US JANS1N6322US JANTX1N6322US

描述 Diode Zener 8.2V 0.5W(1/2W) b-Sq MelfB-MELF 8.2V 0.5W(1/2W)B-MELF 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 B-SQ-MELF-2 B-MELF B-MELF

引脚数 - 2 2

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

正向电压 1.4V @1A 1.4V @1A 1.4V @1A

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

长度 4.95 mm - -

宽度 2.16 mm - -

高度 2.16 mm - -

封装 B-SQ-MELF-2 B-MELF B-MELF

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台