JANTXV1N5811和MBR2045CT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N5811 MBR2045CT 1N5811US

描述 军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMPDiode Schottky 45V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220ABDiode Switching 150V 6A 2Pin MELF-B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Good-Ark Electronics (固锝) Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 2

封装 Case E TO-220 MELF-B

正向电压 0.875 V 0.7 V 0.875 V

热阻 52 ℃/W - -

反向恢复时间 30 ns - 30 ns

正向电流 125 A 20000 mA 6000 mA

正向电压(Max) 875mV @4A - -

正向电流(Max) 6000 mA 20 A 6 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

触点数 - 64 -

额定电流(Max) - 4.9A/触头 -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

长度 7.62 mm - -

封装 Case E TO-220 MELF-B

高度 - 8.7 mm 3.8 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

军工级 Yes - -

外壳颜色 - Black -

触点材质 - Phosphor Bronze -

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