FZT857TA和ZTX857STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT857TA ZTX857STZ PZTA42T1G

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High VoltageNPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  PZTA42T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 1.5 W, 50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 TO-261-4 E-Line-3 TO-261-4

频率 80 MHz - 50 MHz

额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V

额定电流 3.50 A 5.00 A 500 mA

额定功率 3 W - 1.5 W

针脚数 - - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 3 W 1.2 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 3.5A 3A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 10V 100 @500mA, 10V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 3 W 1.2 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW 1200 mW 1.5 W

增益频宽积 - 80 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) 100 100 @10mA, 5V -

长度 6.7 mm 4.77 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 2.41 mm 3.5 mm

高度 1.65 mm 4.01 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 E-Line-3 TO-261-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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