对比图
描述 Trans GP BJT PNP 100V 5A 3Pin TO-39JANTX Series 100V 5A Through Hole PNP Medium Power Silicon Transistor - TO-39
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-39 TO-39-3
耗散功率 1 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V -
最小电流放大倍数(hFE) 60 @2A, 2V -
额定功率(Max) 1 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW
封装 TO-39 TO-39-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99