MRF10031和MZ0912B50Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF10031 MZ0912B50Y MZ0912B50Y,114

描述 微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICONRF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPNTrans RF BJT NPN 120V 3A 3Pin CDFM Blister

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Advanced Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis - -

引脚数 3 - 3

封装 332A-03 - SOT443A

耗散功率 110 W - -

输出功率 30 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 55 V - -

增益 9.5 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 30 W - -

封装 332A-03 - SOT443A

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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