UGB8BT-E3/81和UGB8BT-E3/45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UGB8BT-E3/81 UGB8BT-E3/45 NRVTS8100MFST1G

描述 Diode Switching 100V 8A 3Pin(2+Tab) TO-263AB T/RDIODE 8A 100V 20NS SGL TO263ABDiode Schottky 100V 8A Automotive 5Pin SO-FL T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管整流二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 SO-FL

引脚数 - - 5

正向电压 1V @8A 1V @8A -

反向恢复时间 30 ns 30 ns -

正向电压(Max) 1V @8A - -

正向电流(Max) - - 8 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

正向电流 - 8 A -

封装 TO-263-3 TO-263-3 SO-FL

长度 - 10.45 mm -

宽度 - 9.14 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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