D45C12G和KSB596YTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D45C12G KSB596YTU D45C11

描述 ON SEMICONDUCTOR  D45C12G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 40 MHz, 30 W, 4 A, 120 hFEPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP电流驱动器晶体管 PNP Current Driver Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 40 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 30 W 30 W 60000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 120 @500mA, 5V 40 @200mA, 1V

额定功率(Max) 30 W 30 W 60 W

直流电流增益(hFE) 120 - 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 30 W 60000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 120

长度 10.28 mm 9.2 mm 10.67 mm

宽度 4.82 mm 4.5 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 14.2 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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