IXFH52N50P2和IXFT52N50P2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH52N50P2 IXFT52N50P2 IXTQ480P2

描述 N沟道 500V 52ATrans MOSFET N-CH 500V 52A 3Pin(2+Tab) TO-268N沟道 500V 52A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3

通道数 - - 1

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 960W (Tc) 960W (Tc) 960 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 52A - 52A

上升时间 10 ns 10 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc) 960W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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