IRF7425和IRF7425TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7425 IRF7425TRPBF IRF7425PBF

描述 SOIC P-CH 20V 15AINFINEON  IRF7425TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 VINFINEON  IRF7425PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 15 A, -20 V, 8.2 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -15.0 A - -

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7425 - IRF7425

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15A -15.0 A

上升时间 20 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 7980pF @15V(Vds) 7980pF @15V(Vds) 7980pF @15V(Vds)

下降时间 160 ns 160 ns 160 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0082 Ω 0.0082 Ω

阈值电压 - 1.2 V 1.2 V

输入电容 - 7980 pF -

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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