BAS40BRW和BAS40BRW-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS40BRW BAS40BRW-TP

描述 Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon,BAS40BRW Series 40V 200mA 200mW SMT Schottky Barrier Diode - SOT-363

数据手册 --

制造商 Vishay Intertechnology Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 - SC-70-6

电容 - 5.00 pF

正向电压 - 1 V

耗散功率 - 200 mW

反向恢复时间 - 5 ns

正向电流 - 200 mA

正向电压(Max) - 1V @40mA

正向电流(Max) - 200 mA

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

高度 - 1 mm

封装 - SC-70-6

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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