SA5230DR2G和SE5230D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA5230DR2G SE5230D SA5230NG

描述 SA 系列 0.25 V/us 18 V 表面贴装 低压运算放大器 - SOIC-8低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

引脚数 - - 8

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

耗散功率 - 500 mW 500 mW

增益频宽积 600 kHz 600 kHz 0.6 MHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

工作温度(Max) - 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - 1

增益带宽 0.6 MHz - -

输出电流 - - 32 mA

共模抑制比 - - 85 dB

耗散功率(Max) - - 500 mW

共模抑制比(Min) - - 85 dB

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 1.8 V

长度 - 5 mm 9.27 mm

宽度 - 4 mm 6.35 mm

高度 - 1.5 mm 5.33 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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