BS107A和BS107ARLRM

对比图

型号 BS107A BS107ARLRM BS108G

描述 N沟道TO-92-3封装场效应管小信号MOSFET 250毫安， 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

引脚数 - 3 3

封装 TO-92 TO-92 TO-92-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW 350mW (Ta)

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 250 mA - 250 mA

额定功率 - - 800 mW

通道数 - - 1

漏源极电阻 6.40 Ω - 8 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 350 mW - 350 mW

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - - 150 pF

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

漏源击穿电压 200 V - 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 250 mA - 250 mA

额定功率(Max) - - 350 mW

封装 TO-92 TO-92 TO-92-3

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99