对比图
型号 IS42S16800F-7TL IS42S16800F-7TL-TR IS42S16800E-7TL
描述 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143MHz, 54Pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&RRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 54 54 54
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
供电电流 100 mA 100 mA 130 mA
时钟频率 143 MHz - -
位数 16 16 -
存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
存取时间(Max) 5.4 ns 5.4 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -
电源电压(Min) 3 V 3 V -
长度 22.42 mm - 22.42 mm
宽度 10.29 mm - 10.29 mm
高度 1.05 mm - 1.05 mm
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -