BC640和BC640TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640 BC640TA BC640-016G

描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -1.00 A - -500 mA

极性 PNP, P-Channel - PNP

耗散功率 1.00 W 1 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W 625 mW

频率 - 100 MHz 150 MHz

增益频宽积 - - 150 MHz

集电极最大允许电流 - - 0.5A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1 W 625 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 25 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

长度 - 4.58 mm 5.2 mm

宽度 - 3.86 mm 4.19 mm

高度 - 4.58 mm 5.33 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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