HAT2168H-EL-E和PH9930L,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HAT2168H-EL-E PH9930L,115 PSMN9R0-30YL,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingTrans MOSFET N-CH 30V 63A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 SOT-669 SOT-669 Power-SO8

极性 - - N-Channel

耗散功率 15W (Tc) 6.25 W 46 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A - 61.0 A

上升时间 20 ns 41 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 1730pF @10V(Vds) 1565pF @12V(Vds) 1006pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 15 W 62.5 W 46 W

下降时间 4 ns 25 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 15W (Tc) 62.5W (Tc) 46W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

输入电容 5.18 nF - -

栅电荷 33.0 nC - -

高度 1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 SOT-669 SOT-669 Power-SO8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4.1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台