IXFX26N60Q和IXTV26N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFX26N60Q IXTV26N60P IXFV26N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 247PLUS N-CH 600V 26APLUS N-CH 600V 26A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 26.0 A 26.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 270 mΩ

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 360W (Tc) 460W (Tc) 460 W

阈值电压 - - 5 V

输入电容 - 4.15 nF 4.15 nF

栅电荷 - 72.0 nC 72.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - 26.0 A 26.0 A

上升时间 - - 27 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

下降时间 - - 21 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

长度 - - 11 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 15 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Last Time Buy Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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