199D225X9025A1V1E3和199D225X9025A2A1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D225X9025A1V1E3 199D225X9025A2A1E3 199D225X9020A1V1E3

描述 199D 系列 2.2 uF ±10 % 25 V 径向 固体 电解质钽电容CAP TANT 2.2uF 25V 10% RADIALCap Tant Solid 2.2uF 20V 10% (4.4 X 7.11mm) Radial 2.54mm Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Radial - Radial

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 25.0 V - 20 V

电容 2.2 µF 2.20 µF 2.2 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压 25 V 25 V 20 V

高度 7.11 mm - 7.11 mm

封装 Radial - Radial

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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