对比图
型号 SI4170DY-T1-GE3 PHK28NQ03LT,518 SI4166DY-T1-GE3
描述 MOSFET 30V 30A 6W 3.5mohm @ 10VN 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsSingle N-Channel 30V 3.9mOhm 6.5W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SO-8 SO-8 SOIC-8
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 3W (Ta), 6W (Tc) 6.25W (Tc) 6.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 23.7 A -
上升时间 - 10 ns -
输入电容(Ciss) 4355pF @15V(Vds) 2800pF @20V(Vds) 2730pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 6.25 W -
下降时间 - 40 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 6W (Tc) 6.25W (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc)
漏源极电阻 - - 0.0032 Ω
阈值电压 - - 1.2 V
长度 4.9 mm 5 mm -
宽度 3.9 mm 4 mm -
高度 1.75 mm 1.45 mm -
封装 SO-8 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16