对比图
型号 SIHF18N50D-E3 STF20NK50Z STP20NM50FP
描述 MOSFET Transistor, N Channel, 18A, 500V, 0.23Ω, 10V, 3VN沟道500 V， 0.23 Ω ， 17的超网™功率MOSFET稳压保护TO- 220 ， TO- 247 ， TO- 220FP ， D2PAK N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAKN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 550 V
额定电流 - - 20.0 A
漏源极电阻 0.23 Ω - 0.2 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 39 W 40W (Tc) 45 W
阈值电压 3 V - 4 V
输入电容 - - 1.48 nF
栅电荷 - - 56.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 20.0 A
上升时间 - 20 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 40 W 45 W
下降时间 - 15 ns 8.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 39W (Tc) 40W (Tc) 45W (Tc)
通道数 - 1 -
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17