对比图
描述 60V,2A,137mOhm单N沟道功率MOSFET60V,137mΩ,2A,单N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-323-3 SOT-23-3
极性 - N-CH
耗散功率 1 W 1 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 2A
上升时间 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 310pF @20V(Vds) 310pF @20V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)
无卤素状态 Halogen Free -
通道数 1 -
漏源极电阻 105 mΩ -
阈值电压 1.2 V -
漏源击穿电压 60 V -
封装 SOT-323-3 SOT-23-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free