MCH3486-TL-H和MCH3486-TL-W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCH3486-TL-H MCH3486-TL-W

描述 60V,2A,137mOhm单N沟道功率MOSFET60V,137mΩ,2A,单N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-23-3

极性 - N-CH

耗散功率 1 W 1 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 2A

上升时间 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 310pF @20V(Vds) 310pF @20V(Vds)

下降时间 11 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)

无卤素状态 Halogen Free -

通道数 1 -

漏源极电阻 105 mΩ -

阈值电压 1.2 V -

漏源击穿电压 60 V -

封装 SOT-323-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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