对比图
型号 FDMS7658AS FDMS7660AS FDMS7656AS
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7658AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0015 ohm, 10 V, 1.7 VPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FDMS7656AS: 30V N沟道PowerTrench SyncFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 Power-56-8 Power-56-8 PowerTDFN-8
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0015 Ω 0.0019 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 89 W 83 W -
阈值电压 1.7 V 1.9 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 29A 26A -
输入电容(Ciss) 7350pF @15V(Vds) 6120pF @15V(Vds) 6545pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2500 mW
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
上升时间 - 8 ns 12 ns
下降时间 - 5 ns 7 ns
长度 5 mm 5 mm -
宽度 6 mm 6 mm -
高度 1.05 mm 1.05 mm -
封装 Power-56-8 Power-56-8 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -