M28F256-12B3TR和P28F256A-120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M28F256-12B3TR P28F256A-120 M28F256-12B1

描述 512千位(64KB X8批量擦除) Flasxh记忆 512 Kbit (64Kb x8 Bulk Erase)Flasxh Memory256Kbit Flash 120ns 32-PDIP - P28F256A-120Memory configuration 32Kx8 Memory type Flash Memory size 256Kbit 256K (32K8) FLASH memory \\- 120ns Access

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Intel (英特尔) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

RoHS标准 - - RoHS Compliant

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