IXTA1N100P和IXTP1N100P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA1N100P IXTP1N100P IXTY1N100P

描述 D2PAK N-CH 1000V 1ATO-220 N-CH 1000V 1ADPAK N-CH 1000V 1A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 50 W 50W (Tc) 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 1A 1A 1A

上升时间 26 ns 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 331pF @25V(Vds) 331pF @25V(Vds) 331pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 24 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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