CSD25302Q2和CSD25310Q2

对比图

型号 CSD25302Q2 CSD25310Q2 TSM301K12CQRFG

描述 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q220V P-Channel MOSFET with Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 -

通道数 1 1 -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.0199 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2.4 W 2.9 W -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

漏源击穿电压 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) 5A 20A -

上升时间 13.2 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 350pF @10V(Vds) 655pF @10V(Vds) -

下降时间 1.3 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 2.4W (Ta) 2.9W (Ta) -

阈值电压 - 850 mV -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 2 mm 2 mm -

高度 0.75 mm 0.75 mm -

封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 停产 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -