对比图
型号 MPSA06 MPSW06RLRAG NTE287
描述 放大器晶体管 Amplifier TransistorsON SEMICONDUCTOR MPSW06RLRAG 射频晶体管, NPN, 80V 50MHz TO-92NTE ELECTRONICS NTE287 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92
频率 100 MHz 50 MHz 50 MHz
针脚数 3 3 3
极性 N-Channel NPN NPN
耗散功率 625 mW 1 W 625 mW
集电极击穿电压 - - 300 V (min)
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 300V (min)
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
直流电流增益(hFE) 100 60 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -
额定电流 500 mA 500 mA -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 60 @250mA, 1V -
额定功率(Max) 625 mW 1 W -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Bag Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951