对比图
型号 IXFN200N07 IXFN340N06 IXFN180N07
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 60V 340ATrans MOSFET N-CH 70V 180A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Chassis
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
引脚数 3 4 -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.006 Ω - 6 mΩ
耗散功率 520 W 700 W 520 W
漏源极电压(Vds) 70 V 60 V 70 V
漏源击穿电压 70 V - 70 V
上升时间 60 ns 95 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 16800pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
下降时间 60 ns 33 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
极性 N-Channel N-CH -
连续漏极电流(Ids) 200 A 340A -
额定功率(Max) 520 W 700 W -
额定电压(DC) 70.0 V - -
额定电流 200 A - -
额定功率 520 W - -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
隔离电压 2.50 kV - -
长度 38.23 mm - 38.2 mm
宽度 25.42 mm - 25.07 mm
高度 9.6 mm - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
重量 44.0 g - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -