SQD30N05-20L-GE3和SQD30N05-20L_GE3

对比图

型号 SQD30N05-20L-GE3 SQD30N05-20L_GE3 SQD35N05-26L-GE3

描述 SQD30N05-20L Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFETMOSFET N-CH 55V 30A TO252MOSFET N-CH 55V 30A TO252

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 4 -

耗散功率 - 50 W 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) - 1175pF @25V(Vds) 1175pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 50W (Tc) 50W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.016 Ω 0.016 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 2 V 1.5 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 5 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free