P6KE110和P6KE110A-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6KE110 P6KE110A-TP P6KE110A

描述 硅雪崩二极管 - 硅雪崩二极管 Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes单向 94VDiode: transil; 600W; 110V; unidirectional; ±5%; DO15

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) Micro Commercial Components (美微科) Diotec Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204-2 DO-15 DO-15

引脚数 - 2 2

额定电压(DC) 110 V - -

工作电压 94 V - -

额定功率 600 W - -

击穿电压 99 V 110 V -

电路数 1 1 -

耗散功率 6 kW - -

钳位电压 158 V 152 V 152 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 99.45 V 105 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 100 A

正向电压(Max) - - 3.5 V

工作结温 - - -50℃ ~ 175℃

最大反向电压(Vrrm) - 94V -

长度 7.60 mm 7.6 mm -

直径 3.60 mm - -

封装 DO-204-2 DO-15 DO-15

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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