对比图
型号 J108 PN5432 PMBFJ108
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FETN沟道开关 N-Channel SwitchN-channel junction FETs
数据手册 ---
制造商 Yageo (国巨) Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦)
分类 JFET晶体管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-226-3 -
额定电压(DC) - 25.0 V -
额定电流 - 150 mA -
漏源极电阻 - 5 Ω -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 350 mW -
漏源极电压(Vds) - 25.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 10.0 mA -
击穿电压 - 25 V -
输入电容(Ciss) - 30pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) - 350 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 350 mW -
高度 - 5.33 mm -
封装 - TO-226-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -