J108和PN5432

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J108 PN5432 PMBFJ108

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FETN沟道开关 N-Channel SwitchN-channel junction FETs

数据手册 ---

制造商 Yageo (国巨) Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦)

分类 JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-226-3 -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 150 mA -

漏源极电阻 - 5 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 350 mW -

漏源极电压(Vds) - 25.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 10.0 mA -

击穿电压 - 25 V -

输入电容(Ciss) - 30pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 350 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

高度 - 5.33 mm -

封装 - TO-226-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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