JANTX2N5415S和JANTXV2N5415

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5415S JANTXV2N5415 JANTX2N5415

描述 PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-5 TO-5

耗散功率 750 mW 0.75 W 0.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 200 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 1A - -

封装 TO-205 TO-5 TO-5

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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