1N2976BE3和JAN1N2976B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2976BE3 JAN1N2976B 1N2976B

描述 DO-4 12V 10W10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODESSilicon Zener Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

引脚数 - 2 -

耗散功率 10 W 10 W -

稳压值 12 V 12 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @2A -

测试电流 - 210 mA -

额定功率(Max) - 10 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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