LM27222MX和LM27222M/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM27222MX LM27222M/NOPB LM27222M

描述 MOSFET DRVR 4.5A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/RTEXAS INSTRUMENTS  LM27222M/NOPB  驱动器, MOSFET/PWM控制器, 高压侧和低压侧, 4V-7V电源, 4.5A输出, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LM27222M  芯片, 双路MOSFET驱动器, SOP, 8针, 塑料

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 17ns, 12ns 17ns, 12ns 17ns, 12ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 30 V 30.0 V

耗散功率 720 mW 720 mW 720 mW

静态电流 540 µA 540 µA 540 µA

下降时间(Max) 14 ns 14 ns 14 ns

上升时间(Max) 17 ns 17 ns 17 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 720 mW 720 mW 720 mW

电源电压 4V ~ 6.85V 4V ~ 6.85V 4V ~ 6.85V

电源电压(DC) - 4.00V (min) -

输出电流 - 4.2 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

上升时间 - 17 ns -

下降时间 - 14 ns -

电源电压(Max) - 7 V -

电源电压(Min) - 4 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.45 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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