对比图
型号 PUMD18 PUMD18,115
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, SiliconTSSOP NPN+PNP 50V 100mA
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 6
封装 - SOT-363-6
极性 - NPN+PNP
耗散功率 - 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 50 @10mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
高度 - 1 mm
封装 - SOT-363-6
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free